Diodes Incorporated ZVNL110GTC

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

600mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

15 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

100V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

600mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

75pF @ 25V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

600mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.6A

漏极-源极导通最大电阻

4.5Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

达到SVHC

unknown

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅