Diodes Incorporated ZVP2106AS

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

700mW Ta

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

280mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

12 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-280mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700mW

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

100pF @ 18V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

280mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.28A

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅