Diodes Incorporated ZXM61P03FTC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW Ta

Turn Off Delay Time

8.9 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1.1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625mW

接通延迟时间

1.9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 600mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

140pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.8nC @ 10V

上升时间

2.9ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.9 ns

连续放电电流(ID)

1.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.35Ohm

漏源击穿电压

-30V

高度

1.02mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅