Diodes Incorporated ZXM64N02XTC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

质量

139.989945mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta

Turn Off Delay Time

28.3 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

700mV @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

5.4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

接通延迟时间

5.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 3.8A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 4.5V

上升时间

9.6ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

9.6 ns

连续放电电流(ID)

5.4A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

漏源击穿电压

20V

高度

950μm

长度

3.1mm

宽度

3.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅