Diodes Incorporated ZXM64P02XTC

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

700mV @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta

已出版

1999

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

S-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 2.4A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.9nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

JEDEC-95代码

MO-187AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

达到SVHC

compliant