Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A Ta

Turn Off Delay Time

12.1 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.3V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

100V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1.9A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

230m Ω @ 1.6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

497pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.2nC @ 10V

上升时间

2.1ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.1 ns

连续放电电流(ID)

1.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.23Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅