Diodes Incorporated ZXMN2A03E6TC
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ZXMN2A03E6TC
671-ZXMN2A03E6TC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
大陆
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MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
--最小包装量--
ZXMN2A03E6TC详情
Diodes Incorporated ZXMN2A03E6TC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.1W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低阈值
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
55m Ω @ 7.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
837pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.2nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.7A
漏极-源极导通最大电阻
0.055Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ZXMN2A03E6TC拓展信息
Diodes Incorporated
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