Diodes Incorporated ZXMN2F34MATA

包装/外壳

3-VDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

9.9 ns

Power Dissipation (Max)

1.35W Ta

Number of Elements

1

已出版

2008

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

60mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.35W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

2.65 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 2.5A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

277pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.8nC @ 4.5V

上升时间

4.2ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

5.1 ns

连续放电电流(ID)

5.1A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

20V

双电源电压

20V

栅源电压

800 mV

宽度

2.1mm

长度

2.1mm

高度

950μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅