Diodes Incorporated ZXMN6A11GFTC
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ZXMN6A11GFTC
671-ZXMN6A11GFTC
晶体管 - 特殊用途
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
ZXMN6A11GFTC详情
Diodes Incorporated ZXMN6A11GFTC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Drain Current-Max (ID)
2.7 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.14 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.9 W
ZXMN6A11GFTC拓展信息
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