Diodes Incorporated ZXMN6A11GTC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

8.2 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

1.95 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 2.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.7nC @ 10V

上升时间

3.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.6 ns

连续放电电流(ID)

3.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.8A

漏源击穿电压

60V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅