Diodes Incorporated ZXT11N20DFTA

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

90mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

625mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2.5A

频率

160MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXT11N20D

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

806mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

160MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

2.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

130mV @ 250mA, 2.5A

转换频率

160MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

7.5V

连续集电极电流

2.5A

高度

1mm

长度

3.05mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅