ZXT12N20DXTC
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Diodes Incorporated ZXT12N20DXTC

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型号

ZXT12N20DXTC

utmel 编号

671-ZXT12N20DXTC

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT Dual 20V NPN

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ZXT12N20DXTC
ZXT12N20DXTC Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Dual 20V NPN

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ZXT12N20DXTC详情

Diodes Incorporated ZXT12N20DXTC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    3.5A

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • 基本部件号

    ZXT12N20D

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    S-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS

  • 功率 - 最大

    1.04W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    2 NPN (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    300 @ 1A 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA

  • JEDEC-95代码

    MO-187AA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    200mV @ 50mA, 3.5A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    20V

  • 转换频率

    112MHz

  • 频率转换

    112MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.25W

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Diodes Incorporated ZXT12N20DXTC.

ZXT12N20DXTC拓展信息

BC847BVC-7
BC847BVC-7

Diodes Incorporated

ZDT1048TA
ZDT1048TA

Diodes Incorporated

DMMT3906W-7-F
DMMT3906W-7-F

Diodes Incorporated

MMDT5401-7-F
MMDT5401-7-F

Diodes Incorporated

BC847PN-7-F
BC847PN-7-F

Diodes Incorporated

MMDT5451-7-F
MMDT5451-7-F

Diodes Incorporated

ULN2003AS16-13
ULN2003AS16-13

Diodes Incorporated

ULN2003V12T16-13
ULN2003V12T16-13

Diodes Incorporated

MMDT2227-7-F
MMDT2227-7-F

Diodes Incorporated

MMDT4401-7-F
MMDT4401-7-F

Diodes Incorporated

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