Diodes Incorporated ZXT12P20DXTA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

质量

139.989945mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-160mV

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

1.04W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-2.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXT12P20D

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-G8

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Dual

功率 - 最大

1.04W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

110MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

200mV

最大集电极电流

2.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA

JEDEC-95代码

MO-187AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 125mA, 2.5A

转换频率

110MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

-25V

发射极基极电压 (VEBO)

7.5V

连续集电极电流

-2.5A

高度

950μm

长度

3.1mm

宽度

3.1mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅