Diodes Incorporated ZXT12P40DXTC
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ZXT12P40DXTC
671-ZXT12P40DXTC
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
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Bipolar Transistors - BJT Dual 400V PNP
1最小包装量--
ZXT12P40DXTC详情
Diodes Incorporated ZXT12P40DXTC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXT12P40D
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
1.04W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
2 PNP (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA
JEDEC-95代码
MO-187AA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
260mV @ 100mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
转换频率
130MHz
频率转换
130MHz
最大耗散功率(Abs)
10W
RoHS状态
符合RoHS标准
ZXT12P40DXTC拓展信息
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