Diodes Incorporated ZXT849KTC

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

350.003213mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

230mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

4.2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

7A

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

ZXT849

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

4.2W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

7A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1A 1V

最大集极截止电流

20nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

280mV @ 350mA, 7A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

连续集电极电流

7A

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅