ZXTC6717MCQTA
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Diodes Incorporated ZXTC6717MCQTA

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型号

ZXTC6717MCQTA

utmel 编号

671-ZXTC6717MCQTA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

8-VDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020-

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ZXTC6717MCQTA
ZXTC6717MCQTA Diodes Incorporated SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020-

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ZXTC6717MCQTA详情

Diodes Incorporated ZXTC6717MCQTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-VDFN Exposed Pad

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    W-DFN3020-8

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 厂商

    Diodes Incorporated

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    4.5A, 4A

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Manufacturer

    Diodes Incorporated

  • Brand

    Diodes Incorporated

  • RoHS

    Details

  • Package Description

    W-DFN3020-8

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    120 MHz

  • Manufacturer Part Number

    ZXTC6717MCQTA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    DIODES INC

  • Risk Rank

    5.75

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 包装

    Reel

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 子类别

    Transistors

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N8

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 功率 - 最大

    1.13W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN和PNP

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    NPN, PNP Complementary

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    300 @ 200mA, 2V, 300 @ 100mA, 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    310mV @ 50mA, 4.5A, 310mV @ 150mA, 4A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    15V, 12V

  • 频率转换

    120MHz, 110MHz

  • 集电极电流-最大值(IC)

    4.5 A

  • 最小直流增益(hFE)

    150

  • 集电极-发射器电压-最大值

    15 V

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

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ZXTC6717MCQTA拓展信息

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MMDT5401-7-F
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BC847PN-7-F
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MMDT5451-7-F
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ULN2003V12T16-13
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MMDT2227-7-F
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MMDT4401-7-F
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