Diodes Incorporated ZXTD1M832TA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

引脚数

832

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-240mV

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-12V

最大功率耗散

1.7W

端子位置

QUAD

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-4A

频率

110MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXTD1M832

引脚数量

10

JESD-30代码

R-PQFP-F10

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

3W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.7W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

110MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 2.5A 2V

最大集极截止电流

25nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 150mA, 4A

转换频率

110MHz

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

-20V

发射极基极电压 (VEBO)

7.5V

连续集电极电流

-4A

高度

1mm

长度

3mm

宽度

2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅