Diodes Incorporated ZXTD4591AM832TA
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ZXTD4591AM832TA
671-ZXTD4591AM832TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-VDFN Exposed Pad
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Bipolar Transistors - BJT 40V PNP 3x2 MLP
1最小包装量--
ZXTD4591AM832TA详情
Diodes Incorporated ZXTD4591AM832TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
832
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Current-Collector (Ic) (Max)
2A 1.5A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
已出版
2001
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
端子位置
QUAD
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
2A
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTD4591AM832
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PQFP-F10
资历状况
不合格
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
3W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 500mA 5V / 300 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
转换频率
150MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
宽度
2mm
长度
3mm
高度
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTD4591AM832TA拓展信息
Diodes Incorporated
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