Diodes Incorporated ZXTDBM832TA
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ZXTDBM832TA
671-ZXTDBM832TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-VDFN Exposed Pad
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TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP
1最小包装量--
ZXTDBM832TA详情
Diodes Incorporated ZXTDBM832TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
引脚数
832
供应商器件包装
8-MLP (3x2)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
210mV
Current-Collector (Ic) (Max)
4.5A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
1.7W
额定电流
4.5A
基本部件号
ZXTDBM832
极性
NPN
元素配置
Dual
功率 - 最大
1.7W
增益带宽积
140MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
270mV
最大集电极电流
4.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2A 2V
最大集极截止电流
25nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
270mV @ 125mA, 4.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
20V
最大击穿电压
20V
频率转换
140MHz
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
7.5V
连续集电极电流
4.5A
高度
1mm
长度
3mm
宽度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTDBM832TA拓展信息
Diodes Incorporated
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