Diodes Incorporated ZXTDE4M832TA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

引脚数

832

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

70V

Current-Collector (Ic) (Max)

3.5A 2.5A

Number of Elements

2

hFEMin

200

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1W

端子位置

QUAD

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXTDE4M832

引脚数量

10

JESD-30代码

R-PQFP-F10

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

180MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

325mV

最大集电极电流

2.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 200mA 2V / 40 @ 1.5A 5V

最大集极截止电流

25nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V 70V

转换频率

160MHz

最大击穿电压

70V

频率转换

160MHz 180MHz

集电极基极电压(VCBO)

70V

发射极基极电压 (VEBO)

7.5V

连续集电极电流

-2.5A

高度

1mm

长度

3mm

宽度

2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅