Diodes Incorporated ZXTP2008ZTA

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

质量

51.993025mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-175mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

110MHz

Power Dissipation (Max)

2.1W

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-5.5A

频率

110MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXTP2008

元素配置

Single

功率耗散

2.1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

5.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1A 1V

最大集极截止电流

20nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

175mV @ 500mA, 5.5A

转换频率

110MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

1.6mm

长度

4.6mm

宽度

2.6mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅