ON Semiconductor KSB798YTF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

供应商器件包装

SOT-89-3

质量

130.5mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

1

hFEMin

90

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-25V

最大功率耗散

2W

额定电流

-1A

频率

110MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

2W

功率 - 最大

2W

增益带宽积

110MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

135 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

25V

频率转换

110MHz

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅