Diodes Incorporated ZXTP2012A
- 收藏
- 对比
ZXTP2012A
671-ZXTP2012A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-92
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 3-Pin E-Line
1最小包装量--
ZXTP2012A详情
Diodes Incorporated ZXTP2012A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
通孔
包装/外壳
TO-92
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-145mV
Number of Elements
1
已出版
2006
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
1W
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-3.5A
频率
120MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
120MHz
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
3.5A
转换频率
120MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
最小直流增益(hFE)
10
连续集电极电流
-3.5A
高度
4.01mm
长度
4.77mm
宽度
2.41mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
ZXTP2012A拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated










哦! 它是空的。