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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ZXTP2012A
ZXTP2012A
ZXTP2012A

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Diodes Incorporated ZXTP2012A

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型号

ZXTP2012A

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-ZXTP2012A

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-92

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 3-Pin E-Line

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ZXTP2012A
ZXTP2012A Diodes Incorporated Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 3-Pin E-Line

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ZXTP2012A详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated ZXTP2012A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-92

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    60V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    -145mV

  • Number of Elements

    1

  • 已出版

    2006

  • 包装

    Bulk

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    -60V

  • 最大功率耗散

    1W

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    -3.5A

  • 频率

    120MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    3

  • 极性

    PNP

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    1W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    120MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    60V

  • 最大集电极电流

    3.5A

  • 转换频率

    120MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    100V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    7V

  • 最小直流增益（hFE）

    10

  • 连续集电极电流

    -3.5A

  • 高度

    4.01mm

  • 长度

    4.77mm

  • 宽度

    2.41mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 辐射硬化

    无

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Diodes Incorporated ZXTP2012A.

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公司资质

ISO13485
AS
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