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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.015922
10
¥5.675399
100
¥5.354152
500
¥5.051083
1000
¥4.765176
Diodes Incorporated ZXTP25020CFHTA
- 收藏
- 对比
ZXTP25020CFHTA
671-ZXTP25020CFHTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS PNP 20V 4A SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTP25020CFHTA详情
Diodes Incorporated ZXTP25020CFHTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-150mV
Number of Elements
1
hFEMin
85
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1.81W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
285MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTP25020C
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1.81W
功率 - 最大
1.25W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
285MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
210mV @ 200mA, 4A
转换频率
285MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
25V
发射极基极电压 (VEBO)
-7V
连续集电极电流
-4A
高度
1mm
长度
3.05mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTP25020CFHTA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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