Diodes Incorporated ZXTP25040DFHTA
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ZXTP25040DFHTA
671-ZXTP25040DFHTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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On a Reel of 3000, Diodes Inc ZXTP25040DFHTA PNP Transistor, 3 A, 40 V, 3-Pin SOT-23
--最小包装量--
ZXTP25040DFHTA详情
Diodes Incorporated ZXTP25040DFHTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-220mV
Number of Elements
1
hFEMin
300
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-40V
最大功率耗散
1.25W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-3A
频率
270MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTP25040D
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1.81W
功率 - 最大
1.25W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
270MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
220mV @ 300mA, 3A
转换频率
270MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
45V
发射极基极电压 (VEBO)
-7V
连续集电极电流
-3A
高度
1mm
长度
3.05mm
宽度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTP25040DFHTA拓展信息
Diodes Incorporated
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