ON Semiconductor BSR18A
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BSR18A
1807-BSR18A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
BSR18A详情
ON Semiconductor BSR18A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
39 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-40V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
-200mA
频率
250MHz
基本部件号
BSR18
元素配置
Single
功率耗散
350mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
250MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 50mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
-40V
发射极基极电压 (VEBO)
-35V
接通时间-最大值(ton)
70ns
高度
930μm
长度
2.92mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BSR18A拓展信息
ON Semiconductor
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