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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.742583
10
¥2.587342
100
¥2.440889
500
¥2.302725
1000
¥2.172382
Diodes Incorporated ZXTP25100BFHTA
- 收藏
- 对比
ZXTP25100BFHTA
671-ZXTP25100BFHTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTP25100BFHTA详情
Diodes Incorporated ZXTP25100BFHTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
质量
7.994566mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-215mV
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-100V
最大功率耗散
1.81W
额定电流
-2A
频率
200MHz
基本部件号
ZXTP25100B
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
1.81W
功率 - 最大
1.25W
增益带宽积
200MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
295mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
最高频率
200MHz
最大击穿电压
100V
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
140V
发射极基极电压 (VEBO)
-7V
高度
1mm
长度
3.05mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTP25100BFHTA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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