ON Semiconductor BSS63

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-23

引脚数

3

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

1

hFEMin

30

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

350mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-200mA

频率

50MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

350mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

200mA

转换频率

50MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

-110V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

最小直流增益（hFE）

30

高度

930μm

长度

2.92mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅