Diodes Incorporated ZXTP717MATA
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ZXTP717MATA
671-ZXTP717MATA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-UDFN Exposed Pad
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Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1最小包装量--
ZXTP717MATA详情
Diodes Incorporated ZXTP717MATA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-UDFN Exposed Pad
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-310mV
Current-Collector (Ic) (Max)
4.5A
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
110MHz
Power Dissipation (Max)
2.45W
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
已出版
2016
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
110MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
元素配置
Single
功率耗散
2.45W
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
3W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
310mV @ 150mA, 4A
转换频率
110MHz
最大击穿电压
12V
频率转换
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
-7.5V
连续集电极电流
-4A
高度
580μm
长度
2.08mm
宽度
2.075mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTP717MATA拓展信息
Diodes Incorporated
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