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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.348324
10
¥1.272003
100
¥1.200004
500
¥1.132079
1000
¥1.067998
Diodes Incorporated ZXTP718MATA
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- 对比
ZXTP718MATA
671-ZXTP718MATA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-UDFN
大陆
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Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTP718MATA详情
Diodes Incorporated ZXTP718MATA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-UDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
已出版
2016
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
3W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
180MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTP718
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
2.45W
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
3W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
180MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
3.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 2A 2V
最大集极截止电流
25nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 350mA, 3.5A
转换频率
180MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
25V
发射极基极电压 (VEBO)
-7.5V
连续集电极电流
-3.5A
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTP718MATA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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