DI010N03PW
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Diotec Semiconductor AG DI010N03PW

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型号

DI010N03PW

utmel 编号

672-DI010N03PW

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor,

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DI010N03PW
DI010N03PW Diotec Semiconductor AG Power Field-Effect Transistor,

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DI010N03PW详情

Diotec Semiconductor AG DI010N03PW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

  • Drain Current-Max (ID)

    10 A

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    6

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N6

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.012 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    50 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    20 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.4 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    105 pF

0个相似型号

技术文档: Diotec Semiconductor AG DI010N03PW.

DI010N03PW拓展信息

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