Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256FPFCN-G-BNDE1
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MB85R256FPFCN-G-BNDE1
922-MB85R256FPFCN-G-BNDE1
存储器
28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)
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IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
--最小包装量--
MB85R256FPFCN-G-BNDE1详情
Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256FPFCN-G-BNDE1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)
供应商器件包装
28-TSOP I
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
2.7V~3.6V
界面
Parallel
内存大小
256Kb 32K x 8
访问时间
150ns
内存格式
FRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
150ns
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MB85R256FPFCN-G-BNDE1拓展信息
Fujitsu Electronics America, Inc.
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