MB85R256FPFCN-G-BNDE1
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Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256FPFCN-G-BNDE1

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型号

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

utmel 编号

922-MB85R256FPFCN-G-BNDE1

商品类别

存储器

封装

28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

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MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Fujitsu Electronics America, Inc. IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

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MB85R256FPFCN-G-BNDE1详情

Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256FPFCN-G-BNDE1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)

  • 供应商器件包装

    28-TSOP I

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 界面

    Parallel

  • 内存大小

    256Kb 32K x 8

  • 访问时间

    150ns

  • 内存格式

    FRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    150ns

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256FPFCN-G-BNDE1.

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