Galaxy Microelectronics BZV55-B20
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BZV55-B20详情
Galaxy Microelectronics BZV55-B20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
外壳材料
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Package Description
MELF-2
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
GLASS
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Reference Voltage-Nom
20 V
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
END
终端形式
环绕
Reach合规守则
unknown
参考标准
MIL-STD-202
JESD-30代码
O-LELF-R2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
2%
工作测试电流
5 mA
反向电流-最大值
0.05 μA
动态阻抗-最大值
55 Ω
反向测试电压
15 V
输出范围
0.5 W
电压温度系数
18 mV/°C
膝阻抗-最大
225 Ω
BZV55-B20拓展信息
Galaxy Microelectronics
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