GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-4

供应商器件包装

TO-247-4

厂商

GeneSiC Semiconductor

Package

Tube

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

63A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Power Dissipation (Max)

536W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50mOhm @ 40A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 10mA (Typ)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7301 pF @ 1000 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

340 nC @ 20 V

漏源电压 (Vdss)

3300 V

Vgs（最大值）

+25V, -10V

场效应管特性

Standard