GA100JT12-227
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GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227

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型号

GA100JT12-227

utmel 编号

962-GA100JT12-227

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

起订量

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GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 1200V 160A SOT227

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GA100JT12-227详情

GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    160A Tc

  • Power Dissipation (Max)

    535W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10m Ω @ 100A

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    14400pF @ 800V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200V

  • 连续放电电流(ID)

    160A

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

右边的3个型号有着和GeneSiC Semiconductor & GA100JT12-227相似的参数规格。

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