GeneSiC Semiconductor GD2X20MPS12D

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247-3

厂商

GeneSiC Semiconductor

Package

Tube

Product Status

活跃

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

39A (DC)

Base Product Number

GD2X

Vr - Reverse Voltage

1200 V

Ir - Reverse Current

1 uA

Pd - Power Dissipation

468 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.215171 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Mounting Styles

通孔

Vrrm - Repetitive Reverse Voltage

1.2 kV

Manufacturer

GeneSiC Semiconductor

Brand

GeneSiC Semiconductor

If - Forward Current

78 A

RoHS

Details

Ifsm - Forward Surge Current

160 A

包装

Tube

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

SiC

配置

双阳极共阴极

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

10 μA @ 1200 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.8 V @ 20 A

工作温度 - 结点

-55°C ~ 175°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200 V

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

二极管配置

1 Pair Common Cathode

反向恢复时间(trr)

0 ns

产品

肖特基碳化硅二极管

Vf-正向电压

1.5 V

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers