GeneSiC Semiconductor MBR60080CTR

生命周期状态

PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

双塔

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

包装

Bulk

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

应用

POWER

HTS代码

8541.10.00.80

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-PUFM-X2

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

1mA @ 20V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

880mV @ 300A

正向电流

600A

最大反向漏电电流

1μA

最大浪涌电流

4kA

输出电流-最大值

300A

平均整流电流（Io）

300A

最大反向电压（DC）

80V

平均整流电流

600A

相位的数量

1

峰值反向电流

1A

最大重复反向电压(Vrrm)

80V

二极管配置

1 Pair Common Anode

RoHS状态

符合RoHS标准