GeneSiC Semiconductor MSRT20060(A)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

三塔

供应商器件包装

三塔

包装

Bulk

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

共阴极

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

10μA @ 600V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 200A

正向电流

200A

最大浪涌电流

3kA

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

600V

平均整流电流（Io）

200A DC

最大反向电压（DC）

600V

平均整流电流

200A

峰值反向电流

10μA

最大重复反向电压(Vrrm)

600V

反向电压

600V

二极管配置

1 Pair Common Cathode

RoHS状态

符合RoHS标准