GeneSiC Semiconductor MUR10060CTR
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MUR10060CTR
962-MUR10060CTR
二极管 - 整流器 - 阵列
Twin Tower
大陆
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Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
1最小包装量--
MUR10060CTR详情
GeneSiC Semiconductor MUR10060CTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
双塔
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
包装
Bulk
已出版
2003
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-40°C
应用
超快恢复
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
共阳极
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
25μA @ 50V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7V @ 50A
正向电流
50A
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
400A
平均整流电流(Io)
100A DC
正向电压
1.7V
最大反向电压(DC)
600V
平均整流电流
100A
相位的数量
1
反向恢复时间
110 ns
峰值反向电流
25μA
最大重复反向电压(Vrrm)
600V
反向电压
600V
二极管配置
1 Pair Common Anode
最大正向浪涌电流(Ifsm)
400A
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
MUR10060CTR拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
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