GeneSiC Semiconductor MUR20060CT

生命周期状态

PRODUCTION (Last Updated: 4 months ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

双塔

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

175°C

包装

Bulk

已出版

2016

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

应用

超快恢复

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-PUFM-X2

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

25μA @ 50V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7V @ 50A

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

最大浪涌电流

800A

输出电流-最大值

100A

平均整流电流（Io）

200A DC

最大反向电压（DC）

600V

平均整流电流

200A

相位的数量

1

反向恢复时间

110 ns

峰值反向电流

25μA

最大非代表Pk前进电流

400A

反向电压

600V

二极管配置

1 Pair Common Cathode

RoHS状态

符合RoHS标准