GeneSiC Semiconductor MURT20005R

生命周期状态

PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

三塔

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

Operating Temperature (Min.)

-55°C

包装

Bulk

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

应用

超快恢复

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-PUFM-X3

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

25μA @ 50V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.3V @ 100A

箱体转运

ISOLATED

最大浪涌电流

2kA

输出电流-最大值

100A

平均整流电流（Io）

200A DC

最大反向电压（DC）

50V

平均整流电流

200A

相位的数量

1

反向恢复时间

75 ns

峰值反向电流

25μA

最大非代表Pk前进电流

2000A

反向电压

50V

二极管配置

1 Pair Common Anode

RoHS状态

符合RoHS标准