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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥972.697871
10
¥917.639497
100
¥865.697642
500
¥816.695883
1000
¥770.46782
GeneSiC Semiconductor MURTA20060
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- 对比
MURTA20060
962-MURTA20060
二极管 - 整流器 - 阵列
Three Tower
大陆
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DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MURTA20060详情
GeneSiC Semiconductor MURTA20060重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
三塔
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Bulk
已出版
2016
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
应用
超快恢复
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-PUFM-X3
元素配置
共阴极
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
25μA @ 600V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7V @ 100A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大反向电压(DC)
600V
平均整流电流
100A
相位的数量
1
最大非代表Pk前进电流
2000A
二极管配置
1 Pair Common Cathode
反向电流-最大值
25μA
反向恢复时间-最大值
0.11μs
RoHS状态
符合RoHS标准
MURTA20060拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
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