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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1119.982403
10
¥1056.587171
100
¥996.78035
500
¥940.358821
1000
¥887.130966
GeneSiC Semiconductor MURTA60020R
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- 对比
MURTA60020R
962-MURTA60020R
二极管 - 整流器 - 阵列
Three Tower
大陆
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Rectifiers SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MURTA60020R详情
GeneSiC Semiconductor MURTA60020R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
三塔
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
Operating Temperature (Min.)
-55°C
包装
Bulk
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
应用
超快恢复
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-PUFM-X3
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
25μA @ 50V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.3V @ 300A
箱体转运
ISOLATED
最大浪涌电流
4.4kA
输出电流-最大值
300A
平均整流电流(Io)
600A DC
最大反向电压(DC)
200V
平均整流电流
600A
相位的数量
1
反向恢复时间
200 ns
峰值反向电流
25μA
最大非代表Pk前进电流
4400A
反向电压
200V
二极管配置
1 Pair Common Anode
RoHS状态
符合RoHS标准
MURTA60020R拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
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