MURTA60020R
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GeneSiC Semiconductor MURTA60020R

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型号

MURTA60020R

utmel 编号

962-MURTA60020R

商品类别

二极管 - 整流器 - 阵列

封装

Three Tower

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Rectifiers SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35R

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MURTA60020R
MURTA60020R GeneSiC Semiconductor Rectifiers SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35R

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MURTA60020R详情

GeneSiC Semiconductor MURTA60020R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    三塔

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • Operating Temperature (Min.)

    -55°C

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2013

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 应用

    超快恢复

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X3

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    25μA @ 50V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.3V @ 300A

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 最大浪涌电流

    4.4kA

  • 输出电流-最大值

    300A

  • 平均整流电流(Io)

    600A DC

  • 最大反向电压(DC)

    200V

  • 平均整流电流

    600A

  • 相位的数量

    1

  • 反向恢复时间

    200 ns

  • 峰值反向电流

    25μA

  • 最大非代表Pk前进电流

    4400A

  • 反向电压

    200V

  • 二极管配置

    1 Pair Common Anode

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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技术文档: GeneSiC Semiconductor MURTA60020R.

右边的3个型号有着和GeneSiC Semiconductor & MURTA60020R相似的参数规格。

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MURTA60020R拓展信息

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