GOFORD G1K2C10S2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SOP

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A (Tc), 3.5A (Tc)

厂商

Goford Semiconductor

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

-

功率 - 最大

2W (Tc), 3.1W (Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs

130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

668pF @ 50V, 1732pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 10V, 23nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

场效应管特性

Standard