GOFORD G200P04S2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SOP

Base Product Number

G200

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A (Tc)

厂商

Goford Semiconductor

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

G

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

2 P-Channel (Dual)

功率 - 最大

2.1W (Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs

20mOhm @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2365pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

场效应管特性

-