GOFORD G06N06S2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SOP

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A (Tc)

厂商

Goford Semiconductor

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

2 N-Channel

功率 - 最大

2.1W (Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs

25mOhm @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 250µA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

场效应管特性

Standard