GOFORD G3035L

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SOT-23-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Goford Semiconductor

Power Dissipation (Max)

1.4W (Ta)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

59mOhm @ 2.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-