GT060N04D52详情
GOFORD GT060N04D52重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
8-DFN (4.9x5.75)
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Goford Semiconductor
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel
功率 - 最大
20W (Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
场效应管特性
Standard
GT060N04D52拓展信息








哦! 它是空的。